Die Einzelwafer-Nassprozesslösungen von AP&S sind genau die richtige Wahl für Sie, wenn hochpräzise Prozesse mit hoher Gleichmäßigkeit, hoher Wiederholgenauigkeit und äußerst präziser Prozesssteuerung erforderlich sind.
Das Portfolio für die Einzelwafer-Bearbeitung von AP&S umfasst eine Vielzahl von Prozessen für die Halbleiter- und MEMS-Produktionskette: Reinigen, Trocknen, Ätzen, Metallätzen, PR-Strip, Lift-off.
Unsere Maschinen für horizontales Waferhandling können alle Standardformate von Substraten verarbeiten: 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm und 300 mm.
Das hauseigene AP&S-Labor „Demo Center“ bietet Ihnen ein breites Spektrum an Einzelwaferprozess-Demonstrationen.
Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate
Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas
Reinigen, Ätzen, Trocknen, Lift-off, Entwickeln und kundenspezifische Anwendungen
1. Weniger Überbearbeitungszeit zum vollständigen Ätzen der Schicht erforderlich (d. h. Überätzen)
2. Geringerer Angriff auf andere Schichten
3. Stabile Gleichmäßigkeit von Wafer zu Wafer
4. Erhebliche Reduzierung des Chemikalienverbrauchs möglich
Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate
Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas
FEOL-Ätzen, BEOL-Ätzen und -Reinigen, Wafer-Verdünnen, Spannungsabbau, Film- und Schadensbeseitigung
Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate
Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas
Masken
Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas
1. Weniger Überbearbeitungszeit zum vollständigen Ätzen der Schicht erforderlich (d. h. Überätzen)
2. Geringerer Angriff auf andere Schichten
3. Stabile Gleichmäßigkeit von Wafer zu Wafer
4. Erhebliche Reduzierung des Chemikalienverbrauchs möglich
Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate
Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas
Die SpinMetal-Anlage eignet sich zum Ätzen von Metallschichten aus den folgenden Materialien: NickelChrom, Nickel, Kupfer, Kobalt, Aluminium, Gold, Titan, Titantungsten, Silber, Wismutantimonid und andere
Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate
Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas
SC1 (Standard Clean 1), SC2 (Standard Clean 2), SPM (Piranha-Reinigung), dHF
Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, bis zu 9” und quadratische Substrate
Si, SiC, GaN, GaAs, Saphir, Glas
„Unser Ziel ist es, die gesamte Palette von Nassprozesslösungen abzudecken, die sowohl in der Front-End- als auch in der Back-End-Produktionskette benötigt werden. Gemeinsam mit unseren Kunden entwickeln wir stetig neue, herausragende Verfahren, wie z. das auf dem heutigen Markt einzigartige Metall-Lift-Off-Verfahren von AP&S."
Alexandra Laufer-Müller, CEO
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