Batch-Prozesse für Wafer in der Halbleiterproduktion

Vertikale Waferbearbeitung

NASSBÄNKE

Hoher Durchsatz, optimierte Prozessbetriebskosten, einfache und umfassende Prozesskontrolle, konsistente Beschichtungsergebnisse und die gleichzeitige Bearbeitung mehrerer Wafer auf beiden Seiten sind die Hauptmerkmale der AP&S-Batchsysteme für die Herstellung von Halbleiterbauelementen und mikroelektromechanischen Systemen (MEMS).

Das Batch-Nassprozessportfolio von AP&S umfasst einfache manuelle Nassbänke für Labor- oder Forschungs- & Entwicklungszwecke sowie vollautomatische High-End-Technologie-Nassbänke für die Massenproduktion. Aufgrund des perfekt abgestimmten Zusammenspiels von Produktdesign, Automatisierung und der benötigten Chemikalien bieten unsere Nassprozesslösungen für die Chargenverarbeitung Prozesssicherheit, optimierte Prozesszeiten, Kosteneffizienz und maximale Flexibilität.

Die Nassbänke von AP&S ermöglichen das Reinigen, Trocknen, Ätzen, Metallätzen, stromloses Plating, PR Strip und Metal Lift-off/ Metallabheben für die Waferbearbeitung bis zu 12 Zoll und Masken.

PRODUKTE

BATCH PROZESSE

Manuelle
Nassbank

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NID-
Trockner

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TwinStep

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MultiStep

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GigaStep

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TeraStep

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A-Series 

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Vulcanio

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Einfache Nassprozessanlage für die Herstellung, Forschung und Entwicklung im Bereich Halbleiter

Manuelle Nassprozessbank

Manuelle Nassbank mit einer Vielzahl an möglichen chemischen Nassprozessen auf einer kleinen Stellfläche
Hauptvorteil
  • Maximale Flexibilität durch modularen Aufbau
  • Breites Spektrum an Anpassungs- und Erweiterungsoptionen
  • Schnelle Installation durch modularen Aufbau
  • Erhältlich sowohl als klassischer manueller Nassprozessor als auch mit Abzugshaube für höhere Sicherheitsstandards
  • Material: erhältlich in kostengünstigem PP sowie in FM 4910-kompatiblem Material
  • Optimierte Standfläche
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer und Masken

Materialkonfiguration:

Si, SiC, GaN, GaAs, Sapphire, Glass, Quartz Masken

Chemische Nassprozesse
  • SC1
  • SC2
  • HF (in allen Konzentrationen)
  • DSP
  • KOH
  • SPM, TMAH, H3PO4
  • Lösemittelprozesse in Edelstahlausführung
  • Andere auf Anfrage

Stickstoff IPA-Trockner - Marangoni-Trockner für Wafer in der Halbleiterproduktion

NID-Trockner für die IPA Trocknung in Verbindung mit N2

EFFIZIENTE TROCKNUNGSANLAGE FÜR WAFER BIS 300MM, DÜNNE WAFER, ICS, MEMS, LED, PHOTOMASKEN UND GLASSUBSTRATE
Hauptvorteile
  • Ein Trockner für verschiedene Substrate bis 300 mm: 25 oder 50 Waferchargen
  • Waferdicke von 120 bis 2000 µm ohne Modifikation
  • Erhältlich als Einzeleinheit oder integriert in eine Nassprozessbank
  • Durchschnittliche Prozesszeit 10 - 12 Minuten
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, Glassubstrate

Materialkonfiguration:

Si, SiC, GaN, GaAs, Sapphire, Glas, andere

Chemische Nassprozesse

Trocknungsprozesse mit IPA und N2

Wichtige technische Merkmale
  • Für Kassetten mit hohem oder niedrigem Profil
  • Geringer IPA-Verbrauch: ≤ 30 ml / Lauf
  • Ideal für dünne Wafer geeignet
  • Entspricht: CE, SemiS2 und S8, FM 4910, SECS / GEM
  • Nachgewiesene Zuverlässigkeit:
    MTBF ≥ 800 h
    Betriebszeit ≥ 97 %

Ätzen, Reinigen und Trocknen von Wafern in einer smarten Nassprozessanlage

TwinStep

Halbautomatische Nassbank mit zwei Prozesskammern für Wafer bis zu 300mm
Hauptvorteile
  • Smarte, modulare Konstruktion - Zugang ist nur von zwei Seiten erforderlich (Vorder- und Rückseite)
  • Komfortable Handhabung und Beladung: über die Vorderseite 1 Spültank und 1 Chemietank auf der Rückseite
  • Überragende Zuverlässigkeit und Prozessreproduzierbarkeit bei 97 % Betriebszeit
  • Robustes Wafer-Handling-System für höchste Prozesssicherheit
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, Glassubstrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Sapphire, Glas

Chemische Nassprozesse

Verschiedene Ätz- und Reinigungsprozesse

Wichtige technische Merkmale
  • Optimierte Standfläche (LxBxH): 900 x 1625 x 2000 mm
  • Entspricht FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS / GEM, in CE  
  • Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen

Kompakte Halbleiter-Nassprozessanlage

MultiStep

Halbautomatische Nassbank mit einer kleinen Stellfläche und einer Vielzahl an Konfigurationsmöglichkeiten für Wafer bis zu 200mm
Hauptvorteile
  • Smarte, modulare Konstruktion für komfortable und kostengünstige Installation und Wartung sowie für hohe Flexibilität bei Upgrades
  • Verschiedene Wafer-Größen und -Dicken können bearbeitet werden, dafür sind keine Anpassungen/ Modifikationen an der Anlage erforderlich
  • Höchste Zuverlässigkeit mit einer Anlagenbetriebszeit von ≥ 97%
Wafergrößen bis zu 8”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, Glassubstrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Sapphire, Glas

Chemische Nassprozesse
  • Verschiedene Nassreinigungsverfahren
  • RCA
  • Pre-Diffusion
  • Pre Metal
  • Verschiedene Ätzprozesse, einschließlich Oxid, Nitrid, Polykristallin, Metalle und Silicide
Wichtige technische Merkmale
  • Optimierte Anlagenstandfläche
  • Die Anlagenkonfiguration kann kostengünstig an zukünftige Produkt- / Prozessänderungen und Kundenanforderungen angepasst werden
  • Verarbeitet 2 x 25-Wafer-Stapel mit 4 bis 6“ oder 25 x 8“ Substraten
  • Entspricht: FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS, GEM, CE
  • Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen

Halbleiter Nassprozessanlage - halbautomatische Nassbank

GigaStep

Halbautomatische, modulare und kompakte Nassbank mit allen notwendigen Prozessschritten für Wafer bis zu 300mm
Hauptvorteile   
  • Smarte, modulare Konstruktion für komfortable und kostengünstige Installation und Wartung sowie für hohe Flexibilität bei Upgrades
  • Verschiedene Wafer-Größen und -Dicken können bearbeitet werden, dafür sind keine Anpassungen/ Modifikationen an der Anlage erforderlich
  • Höchste Zuverlässigkeit mit einer Anlagenbetriebszeit von ≥ 97%
Wafergrößen bis zu 8”
Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, Glassubstrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Sapphire, Glas

Chemische Nassprozesse
  • Verschiedene Nassreinigungsverfahren
  • RCA
  • Lösemittelanwendungen
  • Lösemittelanwendungen kombiniert mit chemischen Anwendungen
  • Pre-Diffusion
  • Pre Metall
  • Verschiedene Ätzprozesse, einschließlich Oxid, Nitrid, Polykristallin, Metalle und Silicide
Wichtige technische Merkmale
  • Optimierter Anlagenstandfläche
  • Die Anlagenkonfiguration kann kostengünstig an zukünftige Produkt- / Prozessänderungen und Kundenanforderungen angepasst werden
  • Verarbeitet 2 x 25-Wafer-Chargen von 6 ”bis 8” Substraten
  • Entspricht: FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS, GEM, CE
  • Dry-in -> Dry-out oder Dry-In -> Wet-out möglich 
  • Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen

Nasschemische Produktionsanlage für VERSCHIEDENE WAFERGRÖSSEN UND WAFERDICKEN VERARBEITUNG

TeraStep

Innovative, vollautomatische Plattform für die Verarbeitung von verschiedenen Wafergrößen und -dicken
Hauptvorteile
  • Verschiedene Wafergrößen in einer Anlage: 8” - 12”
  • Verschiedene Wafer-Dickenverarbeitung von 40 bis 200 µm / TAIKO bis 2000 µm, doppelt gestapelte Wafer
  • Chemie und Lösungsmittelprozesse können in dieser Anlage kombiniert werden
  • Unterschiedliche Kontaminationstypen können in dieser Anlage gehandelt werden
  • Verschiedene Kassettenprofile (hoch oder niedrig)
Wafergrößen bis zu 12”
Substrate

Wafer

Wafermaterial

Si, GaN

Chemische Nassprozesse
  • Verschiedene Nassreinigungsverfahren
  • RCA
  • Lösemittelanwendungen
  • Lösemittelanwendungen kombiniert mit chemischen Anwendungen
  • Pre-Diffusion
  • Pre Metal
  • Verschiedene Ätzprozesse, einschließlich Oxid, Nitrid, Polykristallin, Metalle und Silicide
Wichtige technische Merkmale
  • FOUP System geeignet (300mm)
  • SMIF-System geeignet (150, 200mm)
  • Verarbeitet 25/50 Waffer-Stapel
  • Automatische Ladestation inkl. Handhabung von dünnen Wafern
  • Dry-In -> Dry-Out-Verarbeitung • Kassettenpuffer
  • Automatisches Beladen durch Robotersystem oder OHT möglich
  • Entspricht: FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS, GEM, CE
  • Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen

Chemische Nassprozesssanlage mit hohem Durchsatz

A-Series

VOLLAUTOMATISIERTE HOCHDURCHSATZPLATTFORM FÜR WAFER BIS 200MM
Hauptvorteile
  • 100-Wafer-Half-Space-Bearbeitung für optimierte Bad- und Anlagenflächen-Nutzung
  • Hoher Durchsatz durch optimierte Prozesszeiten und 100-Wafer-Chargengröße
  • Umfassende Kontrolle und Regelung der Prozess- und Badstabilität für niedrigere Produktionskosten und höhere Prozesssicherheit
Wafergrößen 6” or 8”
Substrate

Wafer

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Sapphire, Glas

Chemische Nassprozesse
  • Verschiedene Nassreinigungsverfahren
  • RCA
  • IMEC
  • Pre-Diffusion
  • Pre Metal
  • Verschiedene Ätzprozesse, einschließlich Oxid, Nitrid, Polykristallin, Metalle und Silicide
Wichtige technische Merkmale
  • SMIF-System geeignet (150, 200mm)
  • Automatisches Beladen durch Robotersystem oder OHT möglich
  • Entwickelt für bis zu 100 Wafer-Chargen
  • Dry-In -> Dry-Out-Verarbeitung
  • Entspricht: FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS, GEM, CE
  • Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen

Stromlose Beschichtung Ni / Pd/ Au für UBM (Under-Bump Metallisierung)

Vulcanio - vollautomatische eless UBM-Beschichtungsanlage

VOLLAUTOMATISIERTE ANLAGE ZUR STROMLOSEN BESCHICHTUNG / PLATING VON WAFERN BIS 300MM

Vulcanio ist eine vollautomatische 300mm - Nassprozessanlage für die stromlose Beschichtung mit Nickel, Palladium und Gold. Hier finden Sie den e-less Vulcanio-Film. Lesen Sie unseren Artikel: Fortschrittliche Under-Bump Metallisierung (UBM) mit der AP&S e-less Anlage Vulcanio – 7 unschlagbare Fakten, die überzeugen

Hauptvorteile
  • Speziell entwickelt und optimiert für UBM (Under Bumping Metallization) von Aluminium- oder Kupferpads (Nickel, Palladium, Immersion Gold)
  • Einzigartige Software- und Hardwarefunktionen gewährleisten eine außergewöhnliche Gleichmäßigkeit der Abscheidung, Langlebigkeit des Bades und ein unschlagbares Verhältnis der Betriebskosten
  • Prozessspezifische Analysegeräte und optimierte Dosierungen sorgen für eine umfassende Prozesskontrolle und höchste Zuverlässigkeit
Wafergröße 6”, 8" and 12”
Substrate

Wafer

Wafermaterial

Si, SiC, GaN

Chemische Nassprozesse

Stromlose UBM für AL- und Cu-Pads (Ni, Pd, Au)

Wichtige technische Merkmale
  • Vollautomatisiertes Waferhandling
  • FOUP System geeignet (300mm)
  • SMIF-System geeignet (150, 200mm)
  • Verarbeitet 25 oder 50 Wafer-Chargen von 6” bis 12” Wafern
  • Funktioniert mit Kassetten mit hohem und niedrigem Profil
  • Dry-In -> Dry-Out-Verarbeitung
  • Entspricht: FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS, GEM, CE
  • Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen
Stromlose Metallisierung

Seit 2009 werden AP&S eless-Anlagen für die Underbump-Metallisierung in Batch-Prozessen für die Massenproduktion eingesetzt. Aufgrund der steigenden Anforderungen an die Prozessleistung wurden verschiedene Optimierungen vorgenommen, um die zukünftigen Anforderungen an das Chipdesign zu erfüllen. Durch die Modifikation von Schlüsselmerkmalen für das hydrodynamische Verhalten der Elektrolytlösung im Prozesstank konnte die Gleichmäßigkeit der Abscheidung deutlich verbessert werden. In diesem Jahr (2020) wurde das Design des Werkzeugs grundlegend geändert und neue technische Merkmale wurden hinzugefügt. 

"Die Halbleiterfertigung ist in stetiger Weiterentwicklung, deshalb investieren auch wir intensiv in die Entwicklung unseres Portfolios. Mit AP&S haben die Halbleiter- und MEMS-Hersteller einen zuverlässigen Lieferanten, der ihnen alles bietet, was sie für eine effektive Oberflächenbehandlung von Wafern und anderen Substraten benötigen."

Tobias Bausch, Director Sales & Marketing

Kontakt

Vertriebsteam

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