Batch-Prozesse für Wafer in der Halbleiterproduktion

EFFIZIENTE TROCKNUNGSANLAGE FÜR WAFER BIS 300MM, DÜNNE WAFER, ICS, MEMS, LED, PHOTOMASKEN UND GLASSUBSTRATE

Hauptvorteile

• Ein Trockner für verschiedene Substrate bis 300 mm: 25 oder 50 Waferchargen
• Waferdicke von 120 bis 2000 µm ohne Modifikation
• Erhältlich als Einzeleinheit oder integriert in eine Nassprozessbank
• Durchschnittliche Prozesszeit 10 - 12 Minuten

Wafergrößen bis zu 12”

Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, Glassubstrate

Materialkonfiguration:

Si, SiC, GaN, GaAs, Sapphire, Glas, andere

Chemische Nassprozesse

Trocknungsprozesse mit IPA und N2

Wichtige technische Merkmale

• Für Kassetten mit hohem oder niedrigem Profil
• Geringer IPA-Verbrauch: ≤ 30 ml / Lauf
• Ideal für dünne Wafer geeignet
• Entspricht: CE, SemiS2 und S8, FM 4910, SECS / GEM
• Nachgewiesene Zuverlässigkeit:
  MTBF ≥ 800 h
  Betriebszeit ≥ 97 %

Halbautomatische Nassbank mit einer kleinen Stellfläche und einer Vielzahl an Konfigurationsmöglichkeiten für Wafer bis zu 200mm

Hauptvorteile

• Smarte, modulare Konstruktion für komfortable und kostengünstige Installation und Wartung sowie für hohe Flexibilität bei Upgrades
• Verschiedene Wafer-Größen und -Dicken können bearbeitet werden, dafür sind keine Anpassungen/ Modifikationen an der Anlage erforderlich
• Höchste Zuverlässigkeit mit einer Anlagenbetriebszeit von ≥ 97%

Wafergrößen bis zu 8”

Substrate

Wafer, MEMS, Optoelektronik, Fotomasken, Glassubstrate

Wafermaterial

Si, SiC, GaN, GaAs, Sapphire, Glas

Chemische Nassprozesse

• Verschiedene Nassreinigungsverfahren
• RCA
• Pre-Diffusion
• Pre Metal
• Verschiedene Ätzprozesse, einschließlich Oxid, Nitrid, Polykristallin, Metalle und Silicide

Wichtige technische Merkmale

• Optimierte Anlagenstandfläche
• Die Anlagenkonfiguration kann kostengünstig an zukünftige Produkt- / Prozessänderungen und Kundenanforderungen angepasst werden
• Verarbeitet 2 x 25-Wafer-Stapel mit 4 bis 6“ oder 25 x 8“ Substraten
• Entspricht: FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS, GEM, CE
• Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen

Innovative, vollautomatische Plattform für die Verarbeitung von verschiedenen Wafergrößen und -dicken

Hauptvorteile

• Verschiedene Wafergrößen in einer Anlage: 8” - 12”
• Verschiedene Wafer-Dickenverarbeitung von 40 bis 200 µm / TAIKO bis 2000 µm, doppelt gestapelte Wafer
• Chemie und Lösungsmittelprozesse können in dieser Anlage kombiniert werden
• Unterschiedliche Kontaminationstypen können in dieser Anlage gehandelt werden
• Verschiedene Kassettenprofile (hoch oder niedrig)

Wafergrößen bis zu 12”

Substrate

Wafer

Wafermaterial

Si, GaN

Chemische Nassprozesse

• Verschiedene Nassreinigungsverfahren
• RCA
• Lösemittelanwendungen
• Lösemittelanwendungen kombiniert mit chemischen Anwendungen
• Pre-Diffusion
• Pre Metal
• Verschiedene Ätzprozesse, einschließlich Oxid, Nitrid, Polykristallin, Metalle und Silicide

Wichtige technische Merkmale

• FOUP System geeignet (300mm)
• SMIF-System geeignet (150, 200mm)
• Verarbeitet 25/50 Waffer-Stapel
• Automatische Ladestation inkl. Handhabung von dünnen Wafern
• Dry-In -> Dry-Out-Verarbeitung • Kassettenpuffer
• Automatisches Beladen durch Robotersystem oder OHT möglich
• Entspricht: FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS, GEM, CE
• Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen

VOLLAUTOMATISIERTE ANLAGE ZUR STROMLOSEN BESCHICHTUNG / PLATING VON WAFERN BIS 300MM

Hier finden Sie den e-less Vulcanio-Film. Lesen Sie unseren Artikel: Fortschrittliche Under-Bump Metallisierung (UBM) mit der AP&S e-less Anlage Vulcanio – 7 unschlagbare Fakten, die überzeugen

Hauptvorteile

• Speziell entwickelt und optimiert für UBM (Under Bumping Metallization) von Aluminium- oder Kupferpads (Nickel, Palladium, Immersion Gold)
• Einzigartige Software- und Hardwarefunktionen gewährleisten eine außergewöhnliche Gleichmäßigkeit der Abscheidung, Langlebigkeit des Bades und ein unschlagbares Verhältnis der Betriebskosten
• Prozessspezifische Analysegeräte und optimierte Dosierungen sorgen für eine umfassende Prozesskontrolle und höchste Zuverlässigkeit

Wafergröße 6”, 8" and 12”

Substrate

Wafer

Wafermaterial

Si, SiC, GaN

Chemische Nassprozesse

Stromlose UBM für AL- und Cu-Pads (Ni, Pd, Au)

Wichtige technische Merkmale

• FOUP System geeignet (300mm)
• SMIF-System geeignet (150, 200mm)
• Verarbeitet 25 oder 50 Wafer-Chargen von 6” bis 12” Wafern
• Funktioniert mit Kassetten mit hohem und niedrigem Profil
• Dry-In -> Dry-Out-Verarbeitung
• Entspricht: FM 4910, SEMI S2 und S8, SECS, GEM, CE
• Prozesskontrolle durch neueste Softwaretechnologie: Sensor - Softwareschnittstelle, geeignet für hausinternes Trackingsystem, umfangreiche Prozessdokumentation (Verbrauch, Medien, Temperatur, Reinigungszyklen, Ende des Laufs, Login), individuelle Rezepturen