Halbleiter Equipment –
effiziente Nassprozesslösungen für Ihr Waferhandling und mehr

Das modulare System „SpinStep Flexline“ wurde speziell für die flexible Kombination verschiedener Prozesse wie Ätzen, Reinigen, Entwickeln und Lift-off entwickelt.

Bewährte Nassprozessanlage mit Endpunkterkennung für FEOL- und BEOL-Prozesse.

AP&S einzigartige Metall-Lift-Off-Lösung mit DMSO und MegaSonic.

Bewährte Anlage zum Reinigen und Ätzen aller gängigen Maskentypen.

Metallätzwerkzeug mit Endpunkterkennung für maximale Prozesskontrolle .

Kostengünstige Einzelwafer-Reinigungsanlage mit einer oder zwei Kammern für hochpräzise Prozesse und Gleichmäßigkeit.

Einzelwafer-Nassprozessanlage zur effizienten Partikelentfernung.

Effiziente Reinigungsanlage für alle gängigen Trägertypen, Boxen, SMIF-Pods und FOUPs

Der SprayCleaner ist zum Ätzen und Reinigen von PECVD- und Diffusionsbooten wie Graphitbooten, Quarzteilen und Siliciumcarbidbooten bestimmt.

Der vertikale und der horizontale Tube Cleaner wurden speziell für die Reinigung von Quarzrohren (verschiedener Größen) entwickelt.

Das Chemikalienmanagementsystem handelt Säuren, Lösungsmittel und Laugen, die in der Halbleiter-, MEMS- und Mikrostrukturierungsindustrie sowie im Forschungs- und Entwicklungsbereich eingesetzt werden.

CReinigungsprozesse unter Verwendung von Reinchemikalien erfordern adäquate reine Gerätelösungen mit fortschrittlicher Oberflächen- und Strukturwechselwirkung. Der Fokus des Hardware-Designs liegt auf der Reinigungseffizienz in variablen Strukturen mit unterschiedlichen Seitenverhältnissen.

Ätzprozesse der verschiedenen SC-Materialien erfordern eine Hardware, die für die verwendeten hochreinen Ätzchemikalien optimiert ist. Niedrige Sigma-Schwankungen der geätzten Strukturdimensionen über den Chip, über den Wafer und Wafer zu Wafer sind das Hauptziel für Wafergrößen bis zu 300 mm. Die effektive Entfernung der geätzten Materialien in der Struktur wird durch die optimierten hydrodynamischen Strömungsverhältnisse in der Anlage erreicht, die AP&S-Trocknungskonzepte tragen zu einem geringen Partikelgehalt bei.

Nach dem Ätzen ist die Struktur ein permanenter Teil der oberen Waferschicht. Der Lack, der als Ätzbarriere fungiert hat, wird von der Oberfläche entfernt.

Die Lackstruktur wird durch die chemische Auflösung des nichtpolymerisierten Lackbereichs entwickelt. Die Entwicklung bildet in der Lackschicht eine Struktur mit den genauen Abmessungen, die im Schaltungsentwicklungsprozesses festgelegt wurden.

Metallstruktur-Ätztechnologien für Al, Ti, W und andere: Vollständige Entfernung von Metallen von Geräte- oder Monitor-Wafern für Wafer bis zu einem Durchmesser von 300 mm unter Verwendung von Hardware, die auf die spezifischen Chemikalien zugeschnitten ist, die für jeden Metallverbundstoff benötigt werden.

Das Flip-Chip-Bonding ist von zunehmender Bedeutung für die weitere Miniaturisierung von Bauelementen. Die Under-Bump-Metallisierung wird mit stromloser Abscheidungstechnologie auf Al-Legierungs- und Cu-Substraten durchgeführt.

Die Wasseroberflächenspannung besitzt eine einzigartige Beschaffenheit, wenn Wafer langsam durch eine Wasseroberfläche gezogen werden: Die Spannung zieht das Wasser von der Oberfläche weg und lässt die Wafer trocken.