Reinigungsprozesse unter Verwendung von Reinchemikalien erfordern adäquate reine Gerätelösungen mit fortschrittlicher Oberflächen- und Strukturwechselwirkung. Der Fokus des Hardware-Designs liegt auf der Reinigungseffizienz in variablen Strukturen mit unterschiedlichen Seitenverhältnissen. Die effektive Entfernung von Verunreinigungen und Partikeln bis in den Nanometerbereich wird erzielt.
Ätzprozesse der verschiedenen SC-Materialien erfordern eine Hardware, die für die verwendeten hochreinen Ätzchemikalien optimiert ist. Niedrige Sigma-Schwankungen der geätzten Strukturdimensionen über den Chip, über den Wafer und Wafer zu Wafer sind das Hauptziel für Wafergrößen bis zu 300 mm. Die effektive Entfernung der geätzten Materialien in der Struktur wird durch die optimierten hydrodynamischen Strömungsverhältnisse in der Anlage erreicht, die AP&S-Trocknungskonzepte tragen zu einem geringen Partikelgehalt bei.
Nach dem Ätzen ist die Struktur ein permanenter Teil der oberen Waferschicht. Der Lack, der als Ätzbarriere fungiert hat, wird von der Oberfläche entfernt. Verschiedene Chemikalien (abhängig vom Resisttyp) werden verwendet, um die Resists zu entfernen, während die Hardware darauf optimiert ist, saubere Oberflächenzustände zu schaffen und niedrige Defektdichten nach dem Ablösen zu erzielen.
Die Lackstruktur wird durch die chemische Auflösung des nichtpolymerisierten Lackbereichs entwickelt. Die Entwicklung bildet in der Lackschicht eine Struktur mit den genauen Abmessungen, die im Schaltungsentwicklungsprozesses festgelegt wurden. Die Hardware-Merkmale sind auf die verwendeten Chemikalien optimiert, da für Positiv- und / oder Negativresist-Schichten unterschiedliche Chemikalien benötigt werden.
Metallstruktur-Ätztechnologien für Al, Ti, W und andere: Vollständige Entfernung von Metallen von Geräte- oder Monitor-Wafern für Wafer bis zu einem Durchmesser von 300 mm unter Verwendung von Hardware, die auf die spezifischen Chemikalien zugeschnitten ist, die für jeden Metallverbundstoff benötigt werden.
Das Flip-Chip-Bonding ist von zunehmender Bedeutung für die weitere Miniaturisierung von Bauelementen. Die Under-Bump-Metallisierung wird mit stromloser Abscheidungstechnologie auf Al-Legierungs- und Cu-Substraten durchgeführt. Die UBM fungiert als elektrische Verbindung, hat eine Barrierefunktion und bildet eine mechanische Verbindung zwischen Substrat und Lotkugel. Batch- und Einzelwafer-Prozesse sind in der Lage, die für die Massenproduktion erforderlichen Geräteanforderungen und die Prozessstabilität zu erfüllen.
Metal-Lift-Off ist ein Strukturierungsprozess, der die Ätzvariationskomponente eliminiert. Die Wafer werden in einem Entwicklungsschritt verarbeitet, wobei ein Loch in der Lackschicht verbleibt, in dem sich die abgeschiedene Schicht über dem Lack und in der Öffnung befindet. Durch den Einsatz von Ultraschall werden die abgeschiedenen Schichten mit dem Lack entfernt und die gewünschte Struktur auf der Waferoberfläche belassen.
Die Wasseroberflächenspannung besitzt eine einzigartige Beschaffenheit, wenn Wafer langsam durch eine Wasseroberfläche gezogen werden: Die Spannung zieht das Wasser von der Oberfläche weg und lässt die Wafer trocken. Durch die Verwendung von zusätzlichem IPA und N2 wird dieser Effekt an der Wasser-Wasser-Grenzfläche durch die Erzeugung eines starken Oberflächenspannungsgradienten verstärkt (Marangoni-Trocknung).
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